01_тема

ҚАЗАҚСТАН РЕСПУБЛИКАСЫ БІЛІМ ЖӘНЕ ҒЫЛЫМ МИНИСТРЛІГІ

Алматы энергетика және байланыс университеті

5В0719- Радиотехника, электроника және телекоммуникация мамандығы үшін

«Электроника және аналогтық құрылғылардың сұлбатехникасы» пәнінен тесттік тапсырмалар

Құрастырғандар

Аға оқытушы

Абдрешова С.Б.,

Аға оқытушы

Бакирова Н.С.

Алматы, 2013

01 Жартылай өткізгішті диодтар

$$$001

Диодтың суретте көрсетілгендей ВАС-ы бар, ондағы U=2В, I1=1А. Резистордың кедергісі:

A) 1 Ом

B) 1,5 Ом

C) 2 Ом

D) 0,25 Ом

E) дифференциалдық кедергіге тең

F) табалдырықтық кернеуге тең

G) диодтың толық ашылуы кезіндегі кернеу мен токтың мәндеріне тең

H) токсыз кернеуіне тең

{Правильные ответ} = А, F, G

{Сложность} = 2

{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$002

Токты тұрақтандыру үшін вольт-амперлік сипаттамасы бар сызықты емес элемент қолданылады, ол мына суретке сәйкес келеді:

A) B)

C)D)

E)F)

G) H)

{Правильные ответ} = А, F, G

{Сложность} = 2

{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$003

Егер элементтің кедергісі токтан немесе келтірілген кернеуге байланысты болса, онда мұндай элементтің аталуы:

A) сызықты емес

B) пассивті

C) сызықты

D) активті

E) тура байланысты сипаттамасы бар элемент

F) түрлендіргіш

G) күшейткішті

H) сызықты ВАС-ы бар элемент

{Правильный ответ} = C,Е,Н

{Сложность} = 1

{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$004

Электрлік кернеуі мен электрлік тогы бір-бірімен сызықты емес тәуелділікпен байланысты электрлік тізбектің аталуы:

A) сызықты электрлік тізбек

B) принципиалды сұлба

C) сызықты емес электрлік тізбек

D) орын басу сұлбасы

E) құрамында резистивті элементтері жоқ электрлік тізбек

F) құрамында R,L,C элементтері бар күрделі тізбектің бөлігі

G) орын басудың эквиваленттік сұлбасы

H) орын басу сұлбасының үлгісі

{Правильный ответ} = С, Е,F

{Сложность} = 1

{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$005

Түзеткіш сұлбасында стабилитронның қызметі:

A) L-сүзгі

B) С-сүзгі

C) тұрақтандырғыш

D) шектегіш

E) тұрақты кернеуді ұстап тұрудың аспабы

F) тіректі диод

G) түрлендіргіш

H) суммарлы аспап

{Правильный ответ} = С, Е, F

{Сложность} = 1

{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$006

Электрондардың дрейфті тогының тығыздығы:

A)jn = eDndn/dx

B)jn = envдр

C)jn = eDn

D)

E)J=∙E

F)

G)

H)

{Правильный ответ} = А, D, E

{Сложность} = 3

{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$007

Диодтың р-облысындағы электрондардың диффузиялық ұзындығы мен заряд тасымалдаушылардың өмір сүру уақытының арасындағы қатынас:

A)

B)

C)

D) заряд тасымалдаушылардың өмір сүру уақыты мен диффузия коэффициентінің екі параметрінің байланысы

E)

F) заряд тасымалдаушылардың бос жүріс ұзындығы мен диффузия коэффициентінің екі параметрінің байланысы

G) диффузия және дрейф токтарының сызыққа тәуелді параметрлері

H) диффузия және дрейф токтарының бір-біріне тәуелді емес параметрлері

(Правильный ответ) = А, D,С

(Сложность) = 1

(Учебник) = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

(Семестр) = 3

(Код специальности) =5В0719

$$$008

n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы көлемді зарядтың өрісінің қалыптасуы:

A) донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен

B) зарядтың бос тасымалдаушыларымен

C) жартылай өткізгіштің кристалдық тор атомдарының жылулық тербелісі бар фазаға қарама-қарсыда тербелетін фонондармен

D) екі әртүрлі аттас зарядталған қабаттармен

E) теңестірілген күймен (мұнда диффузиядан болатын негізгі тасымалдаушылардың аз тогы және түйісу өрісінің әсерінен болатын негізгі емес тасымалдаушылардың тогы, бұл токтар бір-бірін теңестіреді).

F) позитрондармен

G) молекулалармен

H) атомдармен іске асады.

{Правильный ответ} = А,D,E

{Сложность} = 2

{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$009

n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы ішкі электрлік өрісі:

A) болмайды

B) p-облысынан n-облысына бағытталған

C) n-облысынан p-облысына бағытталған

D) КЗО қысқарады, егер оң потенциал p-облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (тура ығысу)

E) КЗО қысқарады, егер теріс потенциал n -облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (кері ығысу)

F) жоғарылайды

G) секірісті түрде жоғарылайды

H) басқа кеңістіктік заряд облысына түрленеді

{Правильный ответ} = А, D,Е.

{Сложность} = 3

{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$0010

Температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузиясы процесінің өту жылдамдығы:

A) өседі

B) азаяды

C) өзгермейді

D) процестің өту уақытына байланысты өседі

E) динамикалық түрде өзгереді

F) процестің өту уақытына және енгізетін қоспалардың (акцепторлық немесе донорлық) түріне байланысты өседі

G) Const

H) секірісті түрде өзгереді

{Правильный ответ} = А,D,F

{Сложность} = 1

{Учебник}= Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$0011

Кремний аспаптық құрылымдағы сапфирлі кремний қышқылының (SiO2) қолданысы:

A) p-n құрамында

B) түйісу алаңының материалы ретінде

C) қорғау және тұрақтандырғыш жаппаны қалыптастыру үшін

D) қажетті сұлбалық элементтерді өзара қосу үшін

E) диэлектрик ретінде

F) сапфирлі кремний космостық бағдарламаларда қолданылады, ол сәулеленуге жоғары мықтылығымен түсіндіріледі

G) өткізетін жол ретінде

H) сәулелену көзі ретінде

{Правильный ответ} = Е,F,C

{Сложность} = 1

{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.

{Характеристика}=

{Курс}=

{Семестр}=

$$$0012

Диодтың вольт-амперлік сипаттамасы (Шокли теңдеуі):

A)

B)

C)

D)

E)

F)

G)

H)

{Правильный ответ} = В, D,E

{Сложность} = 1



Страницы: Первая | 1 | 2 | 3 | Вперед → | Последняя | Весь текст